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2015年07月31日

button_15.jpg  東京エレクトロンを襲う「スマホ減速」の試練

統合破談後の単独成長に向けて波乱の船出
東出 拓己 :東洋経済 編集局記者 2015年07月31日

「7月10日に発表した中期経営計画を、是が非でも達成したい」。

7月28日に行われた東京エレクトロンの第1四半期決算発表で、開口一番、東(ひがし)哲郎社長は決意を口にしたが、同時に発表されたのは今2016年3月期業績の下方修正で、スマートフォン需要減速の影響を考慮した結果だ。株式市場にはネガティブサプライズとなった。

通期業績見通しは売上高を期初の6750億円(前期比10%増)から6450億円(同5%増)へ、営業利益を1120億円(同27%増)から950億円(同8%増)へ引き下げた。経常利益段階までは修正後も前期からの増収増益を見込むが、増益幅が大きく縮小する見通しだ。また、当期純利益は、税平常化により前期718億円から58億円減の660億円を見込み、一転減益見通しとなった。

株式還元には意欲的

配当については、7月10日に配当性向を従来の35%から50%へ切り上げる方針を発表し、一株あたり中間93円・期末129円の合計222円と期初予想の計155円から増額していたのだが、今回の業績修正を受け、中間配当105円・期末配当83円の合計188円とした。15年3月期の年間配当143円から比べれば増配となる。自己株式の取得も機動的に行うとしている。

第1四半期の決算はなお好調だった。売上高は1557億円で前年同期比3%の微増にとどまったものの、営業利益は同77%増の302億円を計上。営業利益率も15年3月期第1四半期の11%から19%へ向上した。スマートフォンやデータセンター向けのDRAM、NANDフラッシュメモリ需要が好調で、メモリメーカーの設備投資が続いた。また、同業首位の米アプライドマテリアルズとの経営統合が破談となったことで統合関連費用が消滅したことが、営業利益を押し上げた。

それにもかかわらず通期見通しの下方修正に踏み切った背景には、大手半導体メーカーの失速がある。半導体製造装置業界は、世界の半導体設備投資の6割以上を占める米インテル、韓国サムスン電子、台湾TSMCという”ビッグスリー”の動向に大きく左右される。

パソコン需要の低迷に苦しむインテルは、当初、15年12月期通年での設備投資額を95億〜105億ドルと予測していた。しかし、4月にはその見通しを82億ドル〜92億ドル、さらに7月16日の第2四半期決算では72億〜82億ドルへと切り下げた。

TSMCも、15年当初は115億〜120億ドルの設備投資を予定していたが、第1四半期終了後に105億〜110億ドルへと予定を切り下げた。第2四半期決算に際しては、「スマートフォン需要が想定より鈍化した」(マーク・リュウ共同CEO)として、15年の半導体市場の成長率を当初見通しの5%から3%へ修正している。

このような環境の変化を受けて、東京エレクトロンも下方修正を余儀なくされた形だ。しかし、攻めの姿勢はいまだ崩さない。「売り上げ予測はある程度保守的に見ているが、われわれとしてはシェアを上げる好機とみている。そのための仕込みを色々としているところだ」(東社長)。

シェア向上へ技術開発も市場動向次第

実際、洗浄装置とエッチング装置では、13年時点で19%だったシェアを14年時点でそれぞれ25%、26%へと向上させている。技術開発を進めることで、19年時点ではここからさらに、それぞれ10%のシェア向上を掲げている。

また、来期については、次世代技術である3DNANDや10ナノメートル級の量産が本格化することに伴う買い替え需要を想定し、「ポジティブに考えている」(河合利樹COO)。エッチング装置では一部顧客での装置採用認定をすでに獲得しており、3DNANDについても「特定の顧客に関するコメントは避けるが、顧客と会話する範囲では期待できる」(河合COO)としている。

東京エレクトロンは、米国アプライドマテリアルズとの経営統合破談を受け、アプライドなしでも単独での成長が可能であることを強調してきた。7月10日に発表した新中期経営計画では、市場規模(半導体前工程製造装置)が現状(335億ドル)から縮小した場合(300億ドル)と拡大した場合(370億ドル)の2つのパターンが想定されているが、いずれの場合においても増収増益を達成することを目標にしている。

300億ドルに縮小した場合には、売上高7200億円、営業利益率20%、ROE15%を目指す。一方、市場規模が370億ドルに拡大した場合には、売上高9000億円、営業利益率25%、ROE20%が目標となる。アナリストからは、「300億ドルよりも市場規模が縮小する可能性はないのか」、「計画そのものを見直すべきではないか」といった、厳しい質問が相次いだ。中長期での単独成長の成否は予断を許さない状況だ。
2015年06月08日

button_15.jpg  「EUV露光」実用へ光、東芝・ニコンなど高感度感光材、半導体の微細加工進化、回路形成、10倍速く

[ 2015年5月28日 / 日経産業新聞 ]
 半導体の性能を飛躍的に伸ばす新しい微細加工技術が進展する。東芝やニコンの企業連合が極紫外線(EUV)と呼ぶ次世代露光装置に使う高感度感光材(レジスト)を開発した。海外勢も光源の出力向上を実現。いまの技術では困難とされていた回路線幅10ナノ(ナノは10億分の1)メートル以下の「壁」を突破する道筋が見えてきた。量産ターゲットは2017年。個人が膨大な動画やデータを扱う時代は目の前にある。

線幅10ナノメートル以下

 光源の波長は短ければ短いほど、より微細な回路を加工できる。現在最先端の半導体は回路線幅14〜15ナノメートル。波長193ナノメートルのArF(フッ化アルゴン)レーザーで量産している。10ナノメートル以下の半導体を効率よく作るにはEUVの実用化が欠かせないが、これに適するレジストが必要だった。

 新しいレジストを開発したのは東芝、ニコンに富士フイルムや信越化学工業、大日本印刷などを加えた国内11社が出資するEUVL基盤開発センター(EIDEC、茨城県つくば市)。波長が13・5ナノメートルと極めて短いEUVに高感度で反応する金属由来のレジスト素材を開発した。通常の有機化合物のレジストと異なり、EUVを吸収しやすい。露光時間を短くでき、従来比10倍の速さで回路を形成できる。

 現在ArFレーザーの露光装置は1時間あたり200枚の半導体ウエハーを加工できるが、従来のEUV露光で有機化合物レジストを使うと同50枚しか処理できなかった。新開発のレジストを使えば露光工程の生産性は大幅に向上する。

 線幅17ナノメートルの回路パターンをEUVで素早く形成する実験に成功した。米インテルや韓国サムスン電子、半導体ファウンドリー(受託生産会社)最大手のTSMC(台湾積体電路製造)と共同で研究を進める見通しだ。

 生産性にかかわる光源の出力向上技術も進んできた。半導体露光装置で世界首位のオランダのASMLは従来の数十ワットから約80ワットまで引き上げることに成功。EIDECが開発したレジスト技術と組み合わせれば、10ナノメートル以下の半導体量産に向けて大きく前進する。

能力2〜4倍に

 7〜10ナノメートルの半導体が実現すれば、プロセッサーの処理能力は2〜4倍に向上し、フルハイビジョンの4倍の解像度がある4K動画をスマートフォンで送受信できるとみられる。メモリーの記録能力も大幅に増え、SDカード1枚で数テラ(テラは1兆)バイトのデータを記録できる見通し。

 EUVは技術的なハードルが高く、実用化時期は業界各社が想定していたよりも大幅に遅れていた。このためメモリーなどではトランジスタを3次元に積層したり、半導体チップを積み重ねてひとつの製品に組み立てたりする技術を併用して性能を高めてきた。

 EIDECは2011年に設立し、EUV露光の要素技術の研究開発に的を絞ってきた。新開発のレジストは出資企業の富士フイルムやJSR、東京応化工業が世界の半導体メーカーに提供する予定だ。(細川幸太郎)

 ▼EUV露光 半導体の回路パターンをシリコン基板上に転写する露光技術の1つ。光源に波長が13・5ナノ(ナノは10億分の1)メートルと極めて短い極紫外線(EUV)を利用する。現在主流のArF(フッ化アルゴン)方式の波長193ナノメートルと比べて10分の1以下。露光技術では光源の波長が短いほど、微細な回路線幅を実現できる。ただ現状ではEUV光源の出力が低く、生産速度が遅いため実用化には至っていない。

button_15.jpg  立体的な樹脂に回路、ヤマハ発、電子部品の実装機

[ 2015年5月29日 / 日本経済新聞 地方経済面 ]
 ヤマハ発動機は凹凸面や斜面、曲面でも電子部品を搭載できる表面実装機を開発、9月1日から発売する。機器を小型化・軽量化できることから普及が進みつつある立体的な樹脂部品の表面に直接回路を形成する「3D―MID(3次元成形回路部品)」の製造が可能になる。

 ヤマハ発としては初の本格的な3次元対応の表面実装機となる。主に車載部品や医療機器、発光ダイオード(LED)照明などの分野での利用を見込む。

 電子部品を搭載する立体的な樹脂部品を載せるテーブルを自由に傾けたり動かす機構を採用したことなどにより、3次元対応が可能となった。希望小売価格は明らかにしてないが、実勢価格で1台数千万円となる。国内外で年間100台の販売を見込む。
2015年05月07日

button_15.jpg  KLA-Tencor、高度な半導体パッケージング向け検査装置2機種を発表

マイナビニュース 5月7日(木)

KLA-Tencorは、ウェハレベルパッケージングのような高度な半導体パッケージング技術をサポートする2つの検査装置「CIRCL-AP」および「ICOS T830」を発表した。

CIRCL-APは、並列データ収集機能を利用する複数のモジュールが含まれており、ウェハレベルチップスケールパッケージング、ファンアウトウェハレベルパッケージング、シリコン貫通電極(TSV)を使用した2.5D/3D ICインテグレーションなどのパッケージング技術をサポート。LEDスキャン技術と自動欠陥分類機能により、疑似欠陥を減らし、TSVクラックや再配線レイヤのショートなどのパッケージング欠陥の検出を迅速に行うほか、ウェハエッジ欠陥の検出や自動欠陥分類、自動レビューとTSVプロセスフローにおける微細なエッジトリムやボンディング段差の計測も可能だという。

一方のICOS T830は、従来のICOSコンポーネント検査シリーズを拡張して、リードフレーム、ファンアウトウェハレベル、フリップチップ、積層パッケージなどの高度なパッケージングタイプに関連する歩留まりの課題を解決することを目的に開発されたもの。強化されたパッケージ画像検査機能「xPVI」により、ボイド、スクラッチ、ピット、チップ、ワイヤ露出などのコンポーネントの上面および下面の表面欠陥を高い感度で検出することが可能なほか、メモリ/ロジックパッケージデバイスの品質基準が満たされていることを確認するために、高速で3Dボール、リード、およびキャパシタの計測、パッケージ全高の測定、およびコンポーネント側面の検査を行うことも可能。また、xCrack+検査ステーションを活用することで、モバイルアプリケーションで用いられる薄膜コンポーネントの主要不良メカニズムであるマイクロクラック欠陥を正確に検出することが可能だという。
2015年04月28日

button_15.jpg  顧客との主導権争い壁 東京エレクトロン、日米連合が破談

2015/4/28 2:00日本経済新聞 電子版

 「ハイテク業界の大型日米連合」といわれた東京エレクトロンと米アプライドマテリアルズの経営統合計画が破談になった。直接の理由は米司法省の認可を得られなかったことにある。その背後には顧客である米インテルや韓国サムスン電子など大手半導体メーカーの存在がちらつく。技術革新を巡る半導体メーカーと装置メーカーの攻防が今回の統合破談の裏側にあったようだ。

 「納得はできないが謙虚に受け止めるしかない」。27日、東京エレクトロンの東哲郎会長兼社長は悔しさをにじませた。両社は事業の重なりが少なく「独禁法に触れる可能性は低い」(証券アナリスト)とされていた。

 経営統合で基本合意したのは2013年9月。14年6月には両社それぞれの株主総会で大半の株主から賛同を得た。アプライドのゲイリー・ディッカーソン最高経営責任者(CEO)と東京エレクトロンの東社長は約30年に及ぶ付き合いだ。

 誤算は各国の独禁法当局の審査が遅れたことにある。世界の8つの国・地域で進めた審査は遅れに遅れた。実は各国の司法当局は米司法省の出方を見ていたとされる。

 米司法省は半導体製造装置の世界シェア25%を握る新会社の誕生に神経をとがらせた。東京エレクトロンとアプライドも一部の事業を統合の対象外にするなど妥協案を模索した。ところが米司法省は、まだシェアも分からない将来の開発品についても「改善措置」を求めてきたという。

記者会見する東エレクの東哲郎会長兼社長(27日、東証)
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記者会見する東エレクの東哲郎会長兼社長(27日、東証)
 関係者によると、米司法省の厳しい対応の裏には大手半導体メーカーの働きかけがあったとの声もある。

 大手半導体メーカーは巨大装置メーカーの誕生に2つの理由から危機感を抱いていた。1つは統合で両社の発言力が高まり、半導体メーカーが価格交渉で不利になりかねないことだ。

 もう1つは最先端技術を巡る主導権争いだ。半導体の処理能力を向上させる回路線幅の「微細化」は限界に近づいた。最先端品は4年前の半分の14ナノ(ナノは10億分の1)メートルという細さだ。こうした技術は東京エレクトロンやアプライドの装置がないと実用化できない。

 これまでは半導体メーカーが微細化技術の肝を握っていた。装置メーカーの技術を自由に組み合わせて開発を進めることができた。東京エレクトロンとアプライドが経営統合すれば技術革新の主導権が装置メーカー側に移る可能性が高い。そうなれば業界下位の半導体メーカーでも装置メーカー経由で最新の製造技術を簡単に手にできる。

 東氏は経営統合によって「半導体の技術開発のペースが上がり業界全体の発展を加速させる」と説明してきた。その言葉が半導体メーカーに届くことはなかった。

 東京エレクトロンが27日に発表した2015年3月期の連結営業利益は前の期の2.7倍の881億円だった。スマートフォン(スマホ)向けの半導体の需要が旺盛で製造装置の売り上げが伸びた。16年3月期は経営統合白紙の影響を織り込んでも売上高が前期比10%増、営業利益も27%増の増収増益を見込む。

 ただ大幅な戦略修正は免れない。東社長はアプライドと経営統合に踏み切った理由を「単独での生き残りは限界があるため」と答えていた。両社は経営統合によって総合的な技術力を強みにしようとしたが、その戦略を司法当局に否定されたわけだ。3年で5億ドル(約600億円)を見込んでいた統合効果も消える。

 27日電話会見したアプライドのディッカーソンCEOは東京エレクトロンとの連携の可能性に含みを残す一方、当面は単独での成長を目指す考えを示した。両社とも得意とする装置に集中しながら、他の専業メーカーとの連携を模索していくことになりそうだ。
2015年01月06日

button_15.jpg  ディスコ、第3四半期の個別売上高は前年同期比3割増

サーチナ 1月6日(火)

 ディスコ <6146> は5日引け後、15年3月期第3四半期の個別売上高(速報値)を発表。第3四半期は229億2400万円(前年同期比29.1%増)となった。累計では791億8400万円となり、通期予想の1017億円に対する進捗率は77.9%に達している。

 上期に旺盛だったスマートフォンやLED(発行ダイオード)関連の設備投資は減少傾向にあるものの、メモリや電子部品向けなどの設備投資が好調に推移。精密加工装置の売上高が例年に比べて高水準となった。

 5日終値は280円高(2.88%高)の9990円。(編集担当:松浦直角)
2014年12月30日

button_15.jpg  中国における半導体製造装置市場が大幅に拡大

DigiTimesによると、中国において設備投資の活発化から、半導体製造装置市場が大幅に拡大しているという。2014年の同市場は前年比47%増になる見込み。中国では相次いで200/300mm工場が建設されており、最近では1200億人民元(約2兆364億円)の政府基金を設立し、ICの製造や設計・開発に注力しているという。

2014年12月26日

button_15.jpg  2015年にむけて半導体製造装置市場は慎重な楽観論が支配

2014年〜2015年は18%の成長を予測

SEMI市場調査統計グループ クリスチャン・ディーゼルドルフ

全世界の半導体前工程ファブの装置を含む総設備投資額は、今年11%成長し、2015年はさらに8%伸びることが予測されています。2014年を通して、SEMIが収集した情報は、世界の177の工場で、約340億ドルがファブ装置に投資されたことを示しています。2015年は、190の工場が400億ドル以上を投資しようとしています。昨年、一昨年と2年連続でファブ装置の販売額は減少しましたが、2014年からの2年間は二桁成長が続くことになるでしょう。


今年8月の時点で、SEMIはファブ装置の支出が今年21%成長すると予測しましたが、何社かの投資先送りの影響で、わずかですが下方修正となりました。現時点での2014年の成長予測は、いくらか穏やかになりますが、それでも16〜18%と非常に堅調です。

振り返ると、2014年の始まりは素晴らしいものでした。TSMCは100億ドルレンジの投資計画を発表し、Samsung Electronicsは14.5兆ウォンの投資を発表、インテルは110億ドル前後(±5億ドル)を発表するなど、大手メーカー各社による大型投資が見込まれていました。しかし、年半ばころから、いくつかの重要なファブ計画で装置への支出が先送りされ、2015年にずれ込むケースが見られるようになりました。例えば、Samsungは、発表した投資計画のうち、2014年9月までに支出したのは58%にすぎません。またTSMCの前工程ファブ装置の投資額も当初の予測を下回る水準でした。こうした投資先送りのひとつの要因は、14/16nmノードと3D NANDへの投資が2014年から2015年にシフトしたことにあります。

来年、2015年のファブ装置支出額は、堅調が見込まれ、10億ドル以上の投資をする企業が、2014年よりもさらに増えることが予測されています。Inoteraは2015年の設備投資を、2014年の7億3千万ドルから16億6千万ドルへと倍以上に増額します。TSMCは2015年の設備投資が100億ドルを超えることを示唆しており、Intelは2014年よりも減額するものの、2015年も100億ドル程度の投資を計画しています。SEMIのWorld Fab Forecastレポートのデータが示すところによると、10億ドルから20億ドルのレンジで装置への設備投資がされる大型ファブ計画数は、2014年の7に対し、2015年は10となります。

大型ファブ計画が複数の地域で装置市場の成長をけん引

中国では、西安にあるSamsungの3D NANDファブの増産が予想されるほか、SK Hynixが無錫のFab C2をアップグレードし、SMICは北京のFab 8と300mm新ファブの拡張を進めるでしょう。

ヨーロッパ/中東地域の成長を導いているのは、Intelのアイルランドの14nmの立ち上げと、イスラエルにおける投資拡大です。

日本では、Flash Allianceが第5製造棟の第2期分の立ち上げおよび既存ファブのアップグレードを続けています。東芝は四日市の第2製造棟を建設中で、装置の搬入は2015年後半に開始となる見込みです。また、マイクロンは広島のファブに1千億円を投資すると言っています。

韓国で最も大きな計画となるのが、SamsungのLine 17(DRAMモジュールおよびロジックモジュール)、Line 16、そしてSK HynixのM12、M14、M10の各ファブです。

東南アジアの投資をけん引しているのは、マイクロンのFab 7とIM Flash Technologyのアップグレード、そしてGlobalfoundriesのFab 7およびFab 6への投資です。

台湾では、TSMCが複数のファブ計画を同時進行させています。Fab 14のフェーズ5、6、7、そしてFab 12のフェーズ6、7等です。Inoteraは2015年に投資を倍増しますが、これは20nm DRAMの量産に対するものです。

北米の2015年のファブ装置への設備投資額は、72億ドルを上回る世界第3位の市場となりますが、しかし前年比では11%の減少となります。Intelは、国内における生産能力の拡大はしない模様ですが、既存ファブのアップグレード投資は行います。また、D1Xモジュールへの投資もある程度は続く見通しです。GlobalfoundriesのFab 8の拡張は2015年に終了すると予測され、また技術開発センター(TDC)も2015年に完全に立ち上がると予測されます。同社はまた、Fab 8.2を計画しており、その詳細はSEMIのWorld Fab Forecastレポートに収録されています。Samsungもまた、テキサス州オースチンで、14nmのシステムLSI量産の投資を増やすことが予測されます。

前工程ファブ装置への投資は、過去2年の減少を経て、2014年から2015年は連続二桁成長という、投資が途切れることのない年となるでしょう。

SEMI World Fab Forecastレポート

SEMI World Fab Forecastは、ボトムアップアプローチの手法を用いて、各ファブの設備投資、生産能力、テクノロジ、および製品に関する概要とグラフ、詳細分析を提供します。さらに、データベースでは18カ月先までの四半期ごとの予測も提供します。レポートが提供するこうしたデータは、半導体製造の2014年〜2015年を見通し、建設プロジェクト、ファブ設備、テクノロジレベル、および製品に関する設備投資の詳細を把握するためにも有益です。

SEMIの世界半導体製造装置市場統計(WWSEMS)のデータは、前工程および後工程の新品の製造装置のみを調査対象としたものです。SEMI World Fab Forecastおよび関連するファブデータベースレポートは、前工程に限定した、新品、中古、または内製の装置を含むすべての製造装置を調査対象としたものです。SEMIファブデータベースの詳細については、www.semi.org/MarketInfo/FabDatabaseおよびwww.youtube.com/user/SEMImktstatsをご覧ください。

(初出 SEMI Global Update 2014年12月号)
2014年07月09日

button_15.jpg  東京エレクトロン株式会社及びApplied Materials, Inc.の経営統合後の新会社名「Eteris」の発表に関するお知らせ

2014年07月08日

Eterisトレードマーク(TM) は、人々の暮らしをより豊かにする技術革新の創出、実現へ注力

 【2014年7月8日:東京、カリフォルニア州サンフランシスコ】東京エレクトロン株式会社(東京エレクトロン)(東京証券取引所:8035)とApplied Materials, Inc. (アプライド マテリアルズ)(NASDAQ: AMAT) は、本日、対等な経営統合により誕生する新会社の社名とロゴを発表いたしました。「Eterisトレードマーク(TM) 」(エタリス)は、Eternal innovation for societyをコンセプトとしており、新会社の原動力となる精神を具体化し、経営統合の独自性を象徴しています。

 東京エレクトロンの代表取締役会長兼社長である東哲郎は「私たちが選んだ新社名は、東京エレクトロンとアプライド マテリアルズのこれまでの素晴らしい歴史を引き継ぐものであり、両社が単純に一つになる以上の意味をもっています。昨年の経営統合の発表時に、今回の統合は業界にとっても重要なステップであるということを申し上げましたが、Eterisは、人々の暮らしをより豊かにする技術革新を創出し、実現するという未来へのコミットメントを表しています」と述べています。

 アプライド マテリアルズの社長兼CEOであるゲイリー・ディッカーソンは、「Eterisは革新的かつ先進的で、そのロゴは拡大する将来性や革新と成長の時代の推進を象徴しています。経営統合の完了後は、新しい会社名およびミッションとビジョンのもと迅速に行動し、新会社における戦略の実行と価値の創造に注力してまいります」と述べています。

 新社名は、お客さまと業界を前進させていく、私たちの革新的技術へ取り組む姿勢を表しています。Eterisは、世界にポジティブな影響を持続的に与えることを最も大切にします。また、社名とともに発表したロゴは、テクノロジーの持つすばらしい可能性を実現していく新会社の役割をたたえています。マークの中心の鮮やかな緑色の四角形は、新会社の活力や技術の力、お客さまの成功を実現するゆるぎない基盤を象徴しています。緑を基調とした鮮やかな色と次元の広がりは、新会社がこれから実現していく多くのイノベーションを象徴しています。このロゴには、新しい技術革新と成長を後押しする、将来的な機会の拡大という意味が込められています。

 新社名とロゴの発表は、統合のプロセスの中でも最新の重要な一歩となります。先月開催された両社の株主総会において、東京エレクトロンとアプライド マテリアルズの株主は経営統合に対して強い支持を示しました。東京エレクトロンにおいては議決権行使数の約95%、アプライド マテリアルズにおいては議決権行使数の約99%の賛成によって経営統合に関する議案が可決されており、この結果は、今回の統合が株主にもたらす価値の大きさを表しています。

 各国における関係当局による審査を含む、経営統合契約に定められている各種の条件を満たすことを前提として、東京エレクトロンとアプライド マテリアルズの経営統合は2014年後半に完了する見込みです。
2014年05月10日

button_15.jpg  スクリーン、2期ぶり純益 54億円 スマホ向け装置伸長

京都新聞 5月7日

 大日本スクリーン製造が7日発表した2014年3月期連結決算は、経常損益が83億円の黒字(前期は50億円の赤字)、純損益が54億円(前期は113億円の赤字)と、いずれも2期ぶりに黒字転換した。スマートフォンやタブレット端末の需要増を受け、主力の半導体製造装置が伸長した。

 売上高は前期比18・1%増の2359億円で2期ぶりの増収だった。スマホなどに用いる半導体製造用の洗浄装置が台湾など海外で好調だった。デジタル印刷機器も伸びた

 増収効果に加え、部品調達のコストダウンも寄与し、利益面も大幅に改善した。

 15年3月期は、収益性の向上を図り、増収増益を見込む。

 ▽株主総会6月26日▽常務(上席執行役員)最高技術責任者技術開発センター長灘原壮一▽常務兼最高財務責任者(上席執行役員兼最高財務責任者補佐)管理本部長兼ビジネスサービスセンター副センター長兼ディ・エス・ファイナンス社長近藤洋一▽常務(取締役)ビジネスサービスセンター長兼管理本部副本部長南島新▽同(同)経営戦略本部長沖勝登志▽副会長(専務兼最高財務責任者)領内修▽監査役 しがぎんリース・キャピタル社長西川健三郎▽顧問(監査役)野栗和哉▽退任 監査役森幹生
2014年03月01日

button_15.jpg  昭和電工、半導体製造ガスの供給能力5割増

2014/2/26 20:43

 昭和電工は26日、半導体製造に使うガス「高純度亜酸化窒素」の供給能力を2015年から5割高め、年1800トンとすると発表した。韓国の化学メーカー、斗岩産業に生産委託する。韓国などアジアで伸びる半導体用途での需要を取り込む。

 昭和電工は斗岩産業の工場内にガス精製施設を14年中に設置。ガスの純度を高めて製品化する。昭和電工はこれまでは川崎事業所(川崎市)でガス1200トンをつくっていた。

button_15.jpg  アドテスト、海外CBで300億円調達 研究開発加速

2014/2/27 0:05

 アドバンテストは26日、ユーロ円建て新株予約権付社債(転換社債=CB)を300億円発行すると発表した。調達資金で最先端半導体に対応する検査装置の研究開発を加速、検査装置需要の急変に備えて周辺・新規事業も強化する。普通社債(SB)の償還にも充てる。

 発行するCBは年限が5年で、利率はゼロ。3月14日(ロンドン時間)に発行する。CB発行は1989年以来およそ25年ぶり。

 2015年3月期は検査装置事業の売上高(米国会計基準)として今期見通し比23%増の900億円、周辺・新規事業やサービス事業などの合計で49%増の550億円を目指す。

 調達資金のうち約100億円は、検査装置の研究開発に充てる。装置を半導体チップの微細化や、半導体を積み重ねて高機能化するシリコン貫通電極(TSV)方式に対応させる。高速化や処理能力向上も図る。

 このほか電子ビーム露光装置などの研究開発には約50億円を振り向け、テラヘルツ波製品など新規事業の運転資金として約50億円を使う。残る100億円は15年5月に償還期限を迎えるSBの償還に充てる。

 半導体検査装置はスマートフォンなどの販売動向によって需要が大きく変動しやすい。このため検査装置の付加価値や競争力を高めると同時に、周辺事業や新規事業の強化を急いでいる。

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